Alvos de sputtering de óxido de zinco de alumínio
Alvos de sputtering de óxido de zinco de alumínio
Metas de sputtering de óxido de zinco de alumínio Com o desenvolvimento de filmes condutivos transparentes, os alvos AZO (Al2O3-ZnO), que podem substituir o ITO, têm sido amplamente utilizados. O filme condutor transparente AZO tem uma faixa de 3.4eV e um limite de absorção intrínseca de 360nm, que pode ser usado como material de camada de janela para baterias de filme fino. Sua ampla característica de lacuna de banda pode reduzir a absorção de luz por regiões dopadas do tipo p, n e melhorar a taxa de utilização de energia leve. Ao mesmo tempo, o filme condutor transparente AZO tem baixa resistência e alta transmissão de luz visível, tornando-se um bom material de camada transparente frontal. Ao mesmo tempo, o AZO também tem as características de alta estabilidade plasmática, tecnologia de preparação fácil e matérias-primas não tóxicas e inofensivas, tornando o AZO mais amplamente utilizado no campo de células solares de filme fino.
Alvos de sputtering de óxido de zinco de alumínio Imagem:
Nossa empresa pode fornecer aos clientes metas de AZO de alta pureza, alta densidade e uniformemente organizadas, bem como o serviço de vinculação de alvos e backplanes AZO.
Tipo | Nome do produto | Fórmula | Pureza | Ponto de fusão | Densidade (g/cc) | Formas Disponíveis |
Óxidos | Óxido de Alumínio | Al2O3 | 4N | 2045 | 4 | Alvo, partícula |
Óxido de bismuto (III) | Bi2O3 | 4N | 820 | 8.9 | Alvo, partícula | |
Óxido de cromo (III) | Cr2O3 | 4N | 2435 | 5.2 | Alvo, partícula | |
Óxido de erbium | Er2O3 | 4N | 2378 | 8.64 | Alvo, partícula | |
Óxido de hafnium | HfO2 | 4N | 2812 | 9.7 | Alvo, partícula | |
Óxido de lata de índio | ITO | 4N | 1565 | 7.6 | Alvo | |
Óxido de magnésio | MgO | 4N | 2800 | 3.58 | Alvo, partícula | |
Pentoxida de nióbio | Nb2O5 | 4N | 1530 | 4.47 | Alvo, partícula | |
Óxido de neodímio(III) | Nd2O3 | 4N | 2272 | 7.2 | Alvo, partícula | |
Óxido de níquel | Rio Nio | 4N | 1990 | 7.45 | Alvo, partícula | |
Óxido de escândio | Sc2O3 | 4N | 2480 | 3.86 | Alvo, partícula | |
Óxido de Silício | Sio | 4N | 1702 | 2.13 | Alvo, partícula | |
Dióxido do silicone | Sio2 | 4N | 1610 | 2.2 | Alvo, partícula, cristal | |
Óxido de Samário (III) | Sm2O3 | 4N | 2350 | 7.4 | Alvo, partícula | |
Pentoxida de Tânlum | Ta2O5 | 4N | 1800 | 8.7 | Alvo, partícula | |
Dióxido de titânio | Tio2 | 4N | 1800 | 4.29 | Alvo, partícula | |
Óxido de titânio (V) | Ti3O5 | 4N | 1750 | 4.57 | Alvo, partícula | |
Óxido de vanádio(V) | V2O5 | 4N | 690 | 3.36 | Alvo, partícula | |
Óxido de ítrio (III) | Y2O3 | 4N | 2680 | 4.8 | Alvo, partícula | |
Óxido de zinco | ZnO | 4N | 1975 | 5.6 | Alvo, partícula | |
Óxido de zinco dotado de alumínio | AZO | 4N | \ | 5.4 | Alvo | |
Dióxido de zircônio | ZrO2 | 4N | 2700 | 5.5 | Alvo, partícula | |
Fluoreto | Flúor de Bário | BaF2 | 4N | 1280 | 4.8 | Alvo, partícula |
Flúor de cálcio | CaF2 | 4N | 1360 | 3.13 | Alvo, partícula | |
Flúor de Cerium | CeF3 | 4N | 1418 | 6.16 | Alvo, partícula | |
Fluoreto de potássio | KF | 4N | 880 | 2.48 | Alvo, partícula | |
Flúor de Lanthanum(III) | LaF3 | 4N | 1490 | 6 | Alvo, partícula | |
Flúor de Magnésio | MgF2 | 4N | 1266 | 4.2 | Alvo, partícula | |
Flúor de sódio | Naf | 4N | 988 | 2.79 | Alvo, partícula | |
Outros | Titânato de Bário | BaTio3 | 4N | 1620 | 3.96 | Alvo, partícula |
Titânio de Estrôncio | SrTio3 | 4N | 2080 | 5.12 | Alvo, partícula | |
Sulfeto de zinco | ZnS | 4N | 1830 | 4.1 | Alvo, partícula | |
Nitreto de Silício | Si3N4 | 4N | sublimação | 3.44 | Alvo, partícula | |
Nitreto de titânio | Estanho | 4N | 2950 | 5.43 | Alvo, partícula | |
Nitreto de alumínio | Aln | 4N | sublimação | 3.26 | Alvo, partícula | |
Nitreto de boro | BN | 4N | 3000 | 2.25 | Alvo, partícula | |
Carboneto de Slilicon | Sic | 4N | 2700 | 3.22 | Alvo |
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