Componentes de implantação de íons de tungstênio
Descrição dos componentes de implantação de íons de tungstênio
A implantação iônica é um processo que utiliza íons de alta energia para alterar as propriedades físicas e químicas dos materiais. Ele pode controlar com precisão a concentração de dopagem e a distribuição de profundidade. A implantação de íons nesses materiais pode alterar significativamente suas propriedades elétricas, ópticas e mecânicas, tornando-se uma aplicação crítica de semicondutores. escolha ideal. Os componentes de implantação de íons de tungstênio são frequentemente usados como materiais catódicos em implantadores de íons. Eles têm alto ponto de fusão, alta dureza, boa condutividade, forte resistência à corrosão, resistência a altas temperaturas, boa estabilidade química, bom desempenho de processamento, alta pureza e longa vida útil. Características. Os componentes de implantação de íons de tungstênio podem garantir a estabilidade e precisão da implantação de íons e podem ser usados para fabricar vários dispositivos semicondutores, como transistores, circuitos integrados, dispositivos microeletrônicos, células solares, etc.
Especificações dos componentes de implantação de íons de tungstênio:
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Nota |
W1,W2,WMo |
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Técnica |
Laminação, Forjamento, Achatamento, Recozimento, Usinagem |
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Ponto de fusão |
3410 graus |
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Pureza |
Maior ou igual a 95% |
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Tamanho e forma |
De acordo com desenhos |
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Diâmetro Externo Máximo |
800 mm |
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Densidade |
19,3g/cm3 |
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Superfície |
Polimento, limpeza química, revestimento em pó, etc. |
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Padrão |
ASTM B777, DIN, GB, ISO, JIS |
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Certificação |
ISO 9001 |
Imagem dos componentes de implantação de íons de tungstênio:


Perguntas frequentes
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